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参数资料
| 型号： | EL7531EVAL1 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION BOARD FOR EL7531 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 0.8 ~ 5.5 V |
| 电流 - 输出： | 1A |
| 输入电压： | 2.5 ~ 5.5 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | EL7531 |
EL7531
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C)
V IN , V DD , PG to SGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +6.5V
LX to PGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (V IN + +0.3V)
SYNC, EN, V O , FB to SGND . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (V IN + +0.3V)
PGND to SGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +0.3V
Peak Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2A
Operating Ambient Temperature . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typ values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests are
at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T J = T C = T A
Electrical Specifications
V DD = V IN = V EN = 3.3V, C1 = C2 = 10μF, L = 1.8μH, V O = 1.8V (as shown in Typical Application Diagram),
unless otherwise specified.
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
DC CHARACTERISTICS
V FB
Δ V OUT /V OUT
Feedback Input Voltage
V FB vs Temperature
PWM mode
Junction temperature = -40°C to +85°C
790
800
0.3
810
mV
%
(see Figure 7)
Δ V OUT /V OUT
Δ V OUT /V OUT
I FB
Line Regulation
Load Regulation
Feedback Input Current
V IN = 3.3V to 5V, I O = 1A (see Figure 7)
I O = 0A to 1A, V IN = 3.3V (see Figure 7)
0.1
0.4
100
%
%
nA
V IN , V DD
Input Voltage
2.5
5.5
V
V IN,OFF
V IN,ON
Minimum Voltage for Shutdown
Maximum Voltage for Startup
V IN falling
V IN rising
2
2.2
2.2
2.4
V
V
I S
Input Supply Quiescent Current
Active - PFM Mode
Active - PWM Mode
V SYNC = 0V
V SYNC = 3.3V
120
6.5
145
7.5
μA
mA
I DD
Supply Current
PWM, V IN = V DD = 5V
EN = 0, V IN = V DD = 5V
400
0.1
500
1
μA
μA
R DS(ON)-PMOS PMOS FET Resistance
R DS(ON)-NMOS NMOS FET Resistance
Current Limit
I LMAX
V DD = 5V, wafer test only
V DD = 5V, wafer test only
70
45
1.5
100
75
m Ω
m Ω
A
T OT,OFF
T OT,ON
Over-temperature Threshold
Over-temperature Hysteresis
T rising
T falling
145
130
°C
°C
I EN , I SYNC
V EN1 , V SYNC1
EN, SYNC Current
EN, SYNC Rising Threshold
V EN , V RSI = 0V and 3.3V
V DD = 3.3V
-1
2.4
1.8
1
μA
V
V EN2 , V SYNC2
V PG
EN, SYNC Falling Threshold
Minimum V FB for PG, WRT Targeted
V DD = 3.3V
V FB rising
9
1.4
0.8
95
V
%
V FB Value
V FB falling
86
%
V OLPG
PG Voltage Drop
I SINK = 3.3mA
35
70
mV
AC CHARACTERISTICS
F PWM
t SYNC
t SS
PWM Switching Frequency
Minimum SYNC Pulse Width
Soft-start Time
Guaranteed by design
1.25
25
1.4
650
1.6
MHz
ns
μs
2
FN7428.9
July 13, 2006
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