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参数资料
| 型号： | EL7535IY-T13 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BUCK SYNC ADJ .35A 10MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 降压（降压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.8 V ~ 6 V |
| 输入电压： | 2.5 V ~ 6 V |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 频率 - 开关： | 1.4MHz |
| 电流 - 输出： | 350mA |
| 同步整流器： | 是 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
EL7535
Absolute Maximum Ratings (T A = +25°C)
V IN , V DD , POR to SGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +6.5V
LX to PGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (V IN + +0.3V)
RSI, EN, V O , FB to SGND . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (V IN + +0.3V)
PGND to SGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +0.3V
Peak Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Thermal Information
Operating Ambient Temperature . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Pb-free reflow profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typ values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests are
at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T J = T C = T A
Electrical Specifications
V DD = V IN = V EN = 3.3V, C 1 = C 2 = 10μF, L = 1.8μH, V O = 1.8V, unless otherwise specified.
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
DC CHARACTERISTICS
V FB
I FB
V IN , V DD
Feedback Input Voltage
Feedback Input Current
Input Voltage
780
2.5
800
820
250
6
mV
nA
V
V IN,ON
I DD
r DS(ON)-PMOS
r DS(ON)-NMOS
I LMAX
T OT,OFF
T OT,ON
I EN , I RSI
Maximum Voltage for Startup
Supply Current
PMOS FET Resistance
NMOS FET Resistance
Current Limit
Over-temperature Threshold
Over-temperature Hysteresis
EN, RSI Current
V IN rising
Hysterisis
PWM, V IN = V DD = 5V
EN = 0, V IN = V DD = 5V
V DD = 5V, wafer test only
V DD = 5V, wafer test only
T rising
T falling
V EN , V RSI = 0V and 3.3V
2.19
100
-1
400
0.1
70
45
1.5
145
130
2.42
300
850
1.5
100
75
1
V
mV
μA
μA
m Ω
m Ω
A
°C
°C
μA
V EN1 , V RSI1
V EN2 , V RSI2
V POR
EN, RSI Rising Threshold
EN, RSI Falling Threshold
Minimum V FB for POR, WRT Targeted
V FB Value
V DD = 3.3V
V DD = 3.3V
V FB rising
V FB falling
0.8
86
2.4
97
V
V
%
%
V OLPOR
POR Voltage Drop
I SINK = 5mA
35
70
mV
AC CHARACTERISTICS
f PWM
t RSI
PWM Switching Frequency
Minimum RSI Pulse Width
Limits established by characterization and
1.1
1.4
25
1.6
50
MHz
ns
are not production tested
t SS
t POR
Soft-start Time
Power-On Reset Delay Time
2
650
100
μs
ms
FN7003.6
February 26, 2008
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