参数资料
型号: EL8100IS-T7
厂商: Intersil
文件页数: 9/14页
文件大小: 0K
描述: IC OP AMP 200MHZ R-R 8-SOIC
标准包装: 1,000
放大器类型: 电压反馈
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
转换速率: 200 V/µs
增益带宽积: 100MHz
-3db带宽: 200MHz
电流 - 输入偏压: 1.5µA
电压 - 输入偏移: 800µV
电流 - 电源: 2mA
电流 - 输出 / 通道: 65mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 5 V,±1.5 V ~ 2.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
4
FN7103.9
September 14, 2010
Simplified Schematic Diagram
IN+
IN-
I1
I2
R6
R3
R1
R2
Q1
Q2
R7
VBIAS1
Q5
Q6
R8
Q7
Q8
R9
Q3
Q4
R4
R5
VS-
OUT
VBIAS2
VS+
DIFFERENTIAL TO
DRIVE
GENERATOR
SINGLE ENDED
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FREQUENCY RESPONSE FOR VARIOUS OUTPUT
VOLTAGE LEVELS
FIGURE 2. SMALL SIGNAL FREQUENCY RESPONSE FOR
VARIOUS RLOAD
FIGURE 3. SMALL SIGNAL FREQUENCY RESPONSE FOR
VARIOUS NON-INVERTING GAINS
FIGURE 4. SMALL SIGNAL FREQUENCY RESPONSE FOR
VARIOUS INVERTING GAINS
4
2
0
-2
-4
-6
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
GAI
N
(d
B)
VS = 5V
AV = 1
RL = 1kΩ
CL = 5pF
VOP-P = 200mV
VOP-P = 1V
VOP-P = 2V
4
2
0
-2
-4
-6
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
GAI
N
(d
B)
VS = 5V
AV = 1
CL = 5pF
RL = 330Ω
RL = 1kΩ
RL = 100Ω
4
2
0
-2
-4
-6
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
NORMALIZ
E
D
GA
IN
(dB)
VS = 5V
RL = 1kΩ
CL = 5pF
AV = 1
AV = 10
AV = 5
AV = 2
4
2
0
-2
-4
-6
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
NORMA
L
IZED
GAIN
(dB)
VS = 5V
RL = 1kΩ
CL = 5pF
RF = 1kΩ
AV = -10
AV = -2
AV = -5
EL8100, EL8101
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PDF描述
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参数描述
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EL8100ISZ-T7 功能描述:运算放大器 - 运放 EL8100ISZ 200MHZ R2R AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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