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参数资料
| 型号： | EL814M-V |
| 厂商： | Everlight Electronics Co Ltd |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER TRANS OUT 4DIP |
| 标准包装： | 100 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | AC，DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ ±1mA |
| 电流传输比（最大）： | 300% @ ±1mA |
| 输出电压： | 80V |
| 电流 - DC 正向(If)： | ±60mA |
| Vce饱和（最大）： | 200mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 4-DIP（0.400"，10.16mm） |
| 包装： | 管件 |
DATASHEET
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
AC INPUT PHOTOCOUPLER
EL814 Series
Electro-Optical Characteristics (Ta=25 ℃ unless specified otherwise)
Input
Parameter
Forward Voltage
Input capacitance
Symbol
V F
C in
Min.
-
-
Typ.
1.2
50
Max.
1.4
250
Unit
V
pF
Condition
I F = ± 20mA
V = 0, f = 1KHz
Output
Parameter
Collector-Emitter
dark current
Collector-Emitter
breakdown voltage
Emitter-Collector
breakdown voltage
Symbol
I CEO
BV CEO
BV ECO
Min
-
80
6
Typ.
-
-
-
Max.
100
-
-
Unit
nA
V
V
Condition
V CE = 20V,I F = 0mA
I C = 0.1mA
I E = 0.1mA
Transfer Characteristic s
Parameter
Current
EL814
Symbol
Min
20
Typ.
-
Max.
300
Unit
Condition
Transfer
CTR
%
I F = ±1mA ,V CE = 5V
ratio
EL814A
50
-
150
CTR Symmetry
0.7
1.3
I F = ±1mA ,V CE = 5V
Collector-emitter
saturation voltage
V CE(sat)
-
0.05
0.2
V
I F = ±20mA ,I c = 1mA
10
Isolation resistance
Cut-off frequency
Floating capacitance
Rise time
Fall time
R IO
f c
C IO
T r
T f
5×10
-
-
-
-
10
11
80
0.6
7
11
-
-
1.0
18
18
?
kHz
pF
μs
μs
V IO = 500Vdc,
40~60%R.H
V CE =5V, I C =2 mA,
R L =100 ? , -3dB
V IO = 0, f = 1MHz
V CE =2V, I C =2mA,
R L =100 ?
* Typical values at T a = 25°C
Revision Copyright ?
Release Date:2014-03-06 17:38:31.0
3 :5
LifecyclePhase:
2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : February 25, 2014. Issue No: DPC-0000043 Rev.5 www.everlight.com
Expired Period: Forever
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL814S(A)(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 50-150CTR 5000Vrms -55 to +110 Op Temp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL814S(A)(TA)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor AC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL814S(A)(TB) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor AC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL814S(A)(TB)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor AC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL814S(A)(TD) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor AC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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