参数资料
型号: EL816
厂商: Everlight Electronics Co Ltd
文件页数: 2/15页
文件大小: 0K
描述: PHOTOCOUPLER PHOTOTRANS 4DIP
标准包装: 100
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5000Vrms
电流传输比(最小值): 50% @ 5mA
电流传输比(最大): 600% @ 5mA
输出电压: 80V
电流 - 输出 / 通道: 50mA
电流 - DC 正向(If): 60mA
Vce饱和(最大): 200mV
输出类型: 晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
DATASHEET
4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
EL816 series
Absolute Maximum Ratings (Ta=25 °C )
Parameter
Forward current
Peak forward current (1us, pulse)
Symbol
I F
I FP
Rating
60
1
Unit
mA
A
Input
Output
Reverse voltage
Power Dissipation
No derating required up to T a = 100°C
Power dissipation
Derating factor (above T a = 80 ° C)
Collector current
V R
P D
P C
I C
6
100
150
5.8
50
V
mW
mW
mW/ ° C
mA
Isolation Voltage*
Collector-Emitter voltage
Emitter-Collector voltage
Total Power Dissipation
1
Operating Temperature
Storage Temperature
V CEO
V ECO
P TOT
V ISO
T OPR
T STG
80
6
200
5000
-55 to 110
-55 to 125
V
V
mW
Vrms
°C
°C
Soldering Temperature*
2
T SOL
260
°C
Revision Copyright? 2010,Everlight All Rights Reserved. Release Date : Nov13,2013. Issue No: DPC-0000009 Rev. 12
2 : 12 Release Date:2013-11-22 10:59:01.0
Notes:
*1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 are shorted together, and pins 3, 4 are shorted together.
* 2 For 10 seconds
www.everlight.com
LifecyclePhase:
Expired Period: Forever
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PDF描述
EL817-VG PHOTOCOUPLER PHOTOTRANS 4DIP
EL817-V PHOTOCOUPLER PHOTOTRANS 4DIP
EL827M-V PHOTOCOUPLER PHOTOTRANS 8DIP
EW-20-20-G-D-425 CONN STACKER 40POS .100" T/H
EZ1084CMTRT IC REG LDO ADJ 5A TO263
相关代理商/技术参数
参数描述
EL816(A) 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
EL816(A)-V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
EL816(B) 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
EL816(B)-V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
EL816(C) 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk