参数资料
| 型号： | EL8200IY |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP 200MHZ R-R 10-MSOP |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 200 V/µs |
| 增益带宽积： | 100MHz |
| -3db带宽： | 200MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1.6µA |
| 电压 - 输入偏移： | 800µV |
| 电流 - 电源： | 2mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 65mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 5 V，±1.5 V ~ 2.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 管件 |
9
FN7105.3
August 29, 2007
Simplified Schematic Diagram
FIGURE 25. DISABLED RESPONSE (EL8200)
FIGURE 26. ENABLED RESPONSE (EL8200)
FIGURE 27. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 28. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
VS=±2.5V, AV=1, RL=1kΩ
CH1, CH2, 0.5V/DIV, M=20ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
OUTPUT
VS=±2.5V, AV=1, RL=1kΩ
CH1, CH2, 1V/DIV, M=100ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
909mW
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
θ
JA =
88
°C
/W
SO
14
θJA=110°C/W
SO8
893mW
870mW
θJA=115°C/W
MSOP10
θJA=112°C/W
QSOP16
1.136W
486mW
θJA=206°C/W
MSOP10
625mW
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
833mW
θ
JA =
12
0°C
/W
SO
14
633mW
θJA=158°C/W
θJA=160°C/W
SO8
QSOP16
IN+
IN-
I1
I2
R6
R3
R1
R2
Q1
Q2
R7
VBIAS1
Q5
Q6
R8
Q7
Q8
R9
Q3
Q4
R4
R5
VS-
OUT
VBIAS2
VS+
DIFFERENTIAL TO
DRIVE
GENERATOR
SINGLE ENDED
EL8200, EL8201, EL8401
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| EL8200IYZ-T7 | 功能描述:运算放大器 - 运放 EL8200IYZ DL 200 MHZ RAIL-TO-RAIL AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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