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参数资料
| 型号： | EL827M-V |
| 厂商： | Everlight Electronics Co Ltd |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER PHOTOTRANS 8DIP |
| 标准包装： | 45 |
| 通道数： | 2 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 50% @ 5mA |
| 电流传输比（最大）： | 600% @ 5mA |
| 输出电压： | 80V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 200mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.400"，10.16mm） |
| 包装： | 管件 |
DATASHEET
8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
EL827 series
Electro-Optical Characteristics (Ta=25 ℃ unless specified otherwise)
Input
Parameter
Forward Voltage
Reverse Current
Input capacitance
Symbol
V F
I R
C in
Min.
-
-
-
Typ.*
1.2
-
30
Max.
1.4
10
250
Unit
V
μA
pF
Condition
I F = 20mA
V R = 4V
V = 0, f = 1kHz
Output
Parameter
Collector-Emitter dark
current
Collector-Emitter
breakdown voltage
Emitter-Collector
breakdown voltage
Symbol
I CEO
BV CEO
BV ECO
Min.
-
80
7
Typ.*
-
-
-
Max.
100
-
-
Unit
nA
V
V
Condition
V CE = 20V, I F = 0mA
I C = 0.1mA
I E = 0.1mA
Transfer Characteristics
Parameter
Current Transfer ratio
Collector-Emitter
saturation voltage
Isolation resistance
Floating capacitance
Cut-off frequency
Rise time
Fall time
Symbol
CTR
V CE(sat)
R IO
C IO
fc
t r
t f
Min
50
-
5×10 10
-
-
-
-
Typ.
-
0.1
-
0.6
80
3
4
Max.
600
0.2
-
1.0
-
18
18
Unit
%
V
Ω
pF
kHz
μs
μs
Condition
I F = 5mA ,V CE = 5V
I F = 20mA ,I C = 1mA
V IO = 500Vdc,
40~60% R.H.
V IO = 0, f = 1MHz
V CE = 5V, I C = 2mA
R L = 100 Ω , -3dB
V CE = 2V, I C = 2mA,
R L = 100 Ω
* Typical values at T a = 25°C
3
Copyright ? 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 23, 2013. Issue No: DPC-0000047 Rev. 3
www.everlight.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EW-20-20-G-D-425 | CONN STACKER 40POS .100" T/H |
| EZ1084CMTRT | IC REG LDO ADJ 5A TO263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL827S(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Dual Ch Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL827S(TA)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Dual Ch Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL827S(TB) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Dual Ch Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL827S(TB)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Dual Ch Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL827S1(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Dual Ch Transistor DC Input RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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