参数资料
型号: EL8302ISZ-T13
厂商: Intersil
文件页数: 13/14页
文件大小: 0K
描述: IC AMP TRIPLE R-R 500MHZ 16-SOIC
标准包装: 2,500
放大器类型: 电压反馈
电路数: 3
输出类型: 满摆幅
转换速率: 600 V/µs
增益带宽积: 200MHz
-3db带宽: 500MHz
电流 - 输入偏压: 6µA
电压 - 输入偏移: 800µV
电流 - 电源: 5.6mA
电流 - 输出 / 通道: 65mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 5 V,±1.5 V ~ 2.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 带卷 (TR)
8
FIGURE 25. OUTPUT SWING
FIGURE 26. OUTPUT SWING
FIGURE 27. ENABLED RESPONSES
FIGURE 28. DISABLED RESPONSE
FIGURE 29. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 30. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
VS=5V, AV=5, RL=1k TO 2.5V
2s/DIV
0
2.5
5
VS=5V, AV=5, RL=1k TO 2.5V
2s/DIV
0
2.5
5
CH1, CH2, 1V/DIV, M=100ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
CH1, CH2, 0.5V/DIV, M=20ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
633mW
θ
JA =1
58°C
/W
QS
OP
16
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
θ
JA =
110
°C
/W
SO
16
(0.1
50”
)
909mW
893mW
θ
JA =1
12°C
/W
QS
OP
16
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
1.250W
θ
JA =
80°
C/W
SO
16
(0.1
50”
)
EL8302
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