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参数资料
| 型号： | EMI7206MUTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EMI FILTER 6CH ESD 12-UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | EMI720xMU |
| 类型： | 低通 |
| 技术： | LC（Pi） |
| 通道数： | 6 |
| 中心 / 截止频率： | 250MHz（截止值） |
| 衰减值： | 23dB @ 800MHz ~ 6GHz |
| 电阻 - 通道 (Ohms)： | 10 |
| 电流： | 30mA |
| 值： | L = 17nH，C = 12pF |
| ESD 保护： | 是 |
| 滤波器阶数： | 3rd |
| 应用： | 移动设备的数据线路 |
| 封装/外壳： | 12-UFDFN 裸露焊盘 |
| 尺寸/尺寸： | 0.098" L x 0.053" W（2.50mm x 1.35mm） |
| 高度： | 0.024"（0.60mm） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
EMI7204MU, EMI7206MU, EMI7208MU
1 2 3 4
GND
8 7 6 5
EMI7204MU
1 2 3 4 5 6
GND
12 11 10 9 8 7
EMI7206MU
1 2 3 4 5 6 7 8
GND
16 15 14 13 12 11 10 9
EMI7208MU
Figure 3. Pin Diagram
(Bottom View)
Table 1. FUNCTIONAL PIN DESCRIPTION
Filter
EMI7204MU
Device Pins
EMI7206MU
EMI7208MU
Description
Filter 1
Filter 2
Filter 3
Filter 4
Filter 5
Filter 6
Filter 7
Filter 8
Ground Pad
1&8
2&7
3&6
4&5
GND
1 & 12
2 & 11
3 & 10
4&9
5&8
6&7
GND
1 & 16
2 & 15
3 & 14
4 & 13
5 & 12
6 & 11
7 & 10
8&9
GND
Filter + ESD Channel 1
Filter + ESD Channel 2
Filter + ESD Channel 3
Filter + ESD Channel 4
Filter + ESD Channel 5
Filter + ESD Channel 6
Filter + ESD Channel 7
Filter + ESD Channel 8
Ground
MAXIMUM RATINGS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
ESD IEC61000 ? 4 ? 2 (Contact Discharge)
ESD Human Body Model MIL ? STD ?? 883
Operating Temperature Range
Storage Temperature
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose (1.8 in from case for 10 seconds)
Current per inductor
DC package power rating
Symbol
V PP
V PP
T OP
T STG
T L
I C
P p
Value
$ 16
$ 16
? 40 to 85
? 65 to 150
260
30
500
Unit
kV
kV
° C
° C
° C
mA
mW
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° unless otherwise noted).
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Maximum reverse Working Voltage
V RWM
5.0
V
Breakdown Voltage Positive Clamp
Breakdown Voltage Negative Clamp
Leak Current
V BR
V BR
I R
I R = 1.0 mA
I R = 1.0 mA
V RWM = 3.3 V
5.6
? 1.5
6.8
? 0.08
0.1
9.0
? 0.04
1.0
V
V
m A
Resistance
Inductance
R A
L
10
17
W
nH
Diode Capacitance
C 1
V R = 2.5 V, f = 1.0 MHz,
30 mVAC
12
pF
Line Capacitance
3dB Cut ? Off Frequency (Note 1)
Stop Band Attenuation
C t
f 3dB
Above this frequency,
appreciable attenuation
occurs
800 MHz to 6.0 GHz
18.8
24.2
250
23
28.2
pF
MHz
dB
1. 50 W source and 50 W load termination.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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