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参数资料
| 型号： | EMP11T2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 333K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA HS EMD6 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 标准包装： | 8,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | EMD6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
EMP11
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Ultra small mold type. (EMD6)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
IFM
mA
Io mA100
Isurge
A
Power dissipation 150Pd mW
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Forward voltage
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
Reverse current
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Parameter
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Storage temperature
Average rectified forward current (Single)
Surge current (t=1us)
4
Reverse voltage (DC)
80
Forward voltage (Single)
300
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
80
EMD6
0.4
0.45
0.25
0.15
1.0
0.5
0.5
0.15
0.25
0.3
1.55
1.65±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.8±0.1
5.5±0.2
1.65±0.1
0.65±0.1
0.3±0.1
0～0.1
1PIN
1.65±0.01
ROHM : EMD6
JEITA : SC-75A Size
dot (year week factory)
0.13±0.05
0.5±0.05
0～0.1
(1)
(5)
(3)
(6)
(2)
(4)
0.5
0.5
1.0±0.1
0.22±0.05
1.6±0.1
1.2±0.1
1.6±0.1
1/2
2011.06 - Rev.D
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