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参数资料
| 型号： | EMT18T2R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TSOP |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|一对|进步党| 12V的五（巴西）总裁| 500mA的一（c）|的TSOP |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | EMT18T2R |
EMT18 / UMT18N
Transistors
General purpose transistors
(dual transistors)
EMT18 / UMT18N
Features
1) Two 2SA2018 chips in a EMT or UMT package.
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic
mounting machines.
3) Transistor elements are independent, eliminating
interference.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
The following characteristics apply to both Tr1 and Tr2.
Equivalent circuit
EMT18 / UMT18N
(3)
(2)
(1)
(4)
(6)
(5)
Tr2
Tr1
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
External dimensions (Units : mm)
ROHM : EMT6
EMT18
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
UMT18N
Abbreviated symbol : T18
Each lead has same dimensions
0to0.1
( 6
)
2.0
1.3
0.9
0.15
0.7
0.1Min.
2.1
0.65
0.2
1.25
( 1
)
0.65
( 4
)
( 3
)
( 2
)
( 5
)
0.22
1.2
1.6
(1)
(2)
(5)
(3)
(6)
(4)
0.13
0.5
1.0
1.6
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Power dissipation
1 120mW per element must not be exceeded.
Parameter
Symbol
Limits
Unit
VCBO
15
V
12
V
VCEO
VEBO
6
IC
mA
500
Tj
150
C
Tstg
55+150
C
PC
150 (TOTAL)
mW
1
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PDF描述 |
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