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参数资料
| 型号： | EP1C6T324I8ES |
| 厂商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Cyclone FPGA Family Data Sheet |
| 中文描述： | 气旋的FPGA系列数据手册 |
| 文件页数： | 54/104页 |
| 文件大小： | 763K |
| 代理商： | EP1C6T324I8ES |
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2–48
Preliminary
Altera Corporation
January 2007
Cyclone Device Handbook, Volume 1
A programmable delay chain on each DQS pin allows for either a 90°
phase shift (for DDR SDRAM), or a 72° phase shift (for FCRAM) which
automatically center-aligns input DQS synchronization signals within the
data window of their corresponding DQ data signals. The phase-shifted
DQS signals drive the global clock network. This global DQS signal clocks
DQ signals on internal LE registers.
These DQS delay elements combine with the PLL’s clocking and phase
shift ability to provide a complete hardware solution for interfacing to
high-speed memory.
The clock phase shift allows the PLL to clock the DQ output enable and
output paths. The designer should use the following guidelines to meet
133 MHz performance for DDR SDRAM and FCRAM interfaces:
■
■
The DQS signal must be in the middle of the DQ group it clocks
Resynchronize the incoming data to the logic array clock using
successive LE registers or FIFO buffers
LE registers must be placed in the LAB adjacent to the DQ I/O pin
column it is fed by
■
Figure 2–34
illustrates DDR SDRAM and FCRAM interfacing from the
I/O through the dedicated circuitry to the logic array.
EP1C6
144-pin TQFP
4
32
240-pin PQFP
4
32
256-pin FineLine BGA
4
32
EP1C12
240-pin PQFP
4
32
256-pin FineLine BGA
4
32
324-pin FineLine BGA
8
64
EP1C20
324-pin FineLine BGA
8
64
400-pin FineLine BGA
8
64
Note to
Table 2–10
:
(1)
EP1C3 devices in the 100-pin TQFP package do not have any DQ pin groups in
I/O bank 1.
Table 2–10. DQ Pin Groups (Part 2 of 2)
Device
Package
Number of
×
8 DQ
Pin Groups
Total DQ Pin
Count
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