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参数资料
型号： AD8224ACPZ-WP
厂商： Analog Devices Inc
文件页数： 25/28页
文件大小： 0K
描述： IC AMP INST JFET R-R LP 16LFCSP
标准包装： 64
放大器类型： 仪表
电路数： 2
输出类型： 满摆幅
转换速率： 2 V/µs
-3db带宽： 1.5MHz
电流 - 输入偏压： 25pA
电压 - 输入偏移： 300µV
电流 - 电源： 750µA
电流 - 输出 / 通道： 15mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 4.5 V ~ 36 V，±2.25 V ~ 18 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘，CSP
供应商设备封装： 16-LFCSP-VQ
包装： 托盘 - 晶粒
配用： AD8224-EVALZ-ND - BOARD EVALUATION AD8224
AD8224
Data Sheet
Rev. C | Page 6 of 28
VS + = 5 V, VS = 0 V, VREF = 2.5 V, TA = 25°C, G = 1, RL = 2 kΩ1, unless otherwise noted. Table 5 displays the specifications for an
individual instrumentation amplifier configured for a single-ended output or dual instrumentation amplifiers configured for differential
outputs as shown in Figure 63.
Table 5. Individual Amplifier in Single-Ended Configuration or Dual Amplifiers in Differential Output Configuration2, VS =+5 V
A Grade
B Grade
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
COMMON-MODE REJECTION RATIO (CMRR)
CMRR DC to 60 Hz with
1 kΩ Source Imbalance
VCM = 0 to 2.5 V
G = 1
78
86
dB
G = 10
94
100
dB
G = 100
94
100
dB
G = 1000
94
100
dB
CMRR at 10 kHz
G = 1
74
80
dB
G = 10
84
90
dB
G = 100
84
90
dB
G = 1000
84
90
dB
NOISE
RTI noise = √(eni2 + (eno/G)2)
Voltage Noise, 1 kHz
VS = ±2.5 V
Input Voltage Noise, eni
VIN+, VIN = 0 V, VREF = 0 V
14
17
nV/√Hz
Output Voltage Noise, eno
VIN+, VIN = 0 V, VREF = 0 V
90
100
nV/√Hz
RTI, 0.1 Hz to 10 Hz
G = 1
5
V p-p
G = 1000
0.8
V p-p
Current Noise
f = 1 kHz
1
fA/√Hz
VOLTAGE OFFSET
RTI VOS = (VOSI) + (VOSO/G)
Input Offset, VOSI
300
250
V
Average TC
T = 40°C to +85°C
10
5
V/°C
Output Offset, VOSO
1200
800
V
Average TC
T = 40°C to +85°C
10
5
V/°C
Offset RTI vs. Supply (PSR)
G = 1
86
dB
G = 10
96
100
dB
G = 100
96
100
dB
G = 1000
96
100
dB
INPUT CURRENT
Input Bias Current
25
10
pA
Over Temperature3
T = 40°C to +85°C
300
pA
Input Offset Current
2
0.6
pA
Over Temperature3
T = 40°C to +85°C
5
pA
REFERENCE INPUT
RIN
40
kΩ
IIN
VIN+, VIN = 0 V
70
A
Voltage Range
VS
+VS
VS
+VS
V
Gain to Output
1 ±
0.0001
1 ±
0.0001
V/V
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PDF描述
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SL1411A075SM GAS TUBE GDT 10KA 75V SMD
LT1807IS8#TRPBF IC OPAMP R-R I/O DUAL LN 8SOIC
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参数描述
EP2AGX260FF35I3N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 10260 LABs 612 IO RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256
EP2AGX260FF35I5 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 10260 LABs 612 IO RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256
EP2AGX260FF35I5N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 10260 LABs 612 IO RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256
EP2AGX45CU17C4 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 1805 LABs 156 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256
EP2AGX45CU17C4N 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 1805 LABs 156 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256
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