参数资料
| 型号： | EP4CGX150DF27C8 |
| 厂商： | Altera |
| 文件页数： | 42/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CYCLONE IV FPGA 150K 672FBGA |
| 产品培训模块： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs Cyclone IV FPGA Family Overview |
| 特色产品： | Cyclone? IV FPGAs |
| 标准包装： | 40 |
| 系列： | CYCLONE® IV GX |
| LAB/CLB数： | 9360 |
| 逻辑元件/单元数： | 149760 |
| RAM 位总计： | 6635520 |
| 输入/输出数： | 393 |
| 电源电压： | 1.16 V ~ 1.24 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 672-BBGA |
| 供应商设备封装： | 672-BGA（27x27） |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页当前第42页
Chapter 1: Cyclone IV Device Datasheet
1–9
Operating Conditions
December 2013
Altera Corporation
The OCT resistance may vary with the variation of temperature and voltage after
calibration at device power-up. Use Table 1–10 and Equation 1–1 to determine the
final OCT resistance considering the variations after calibration at device power-up.
Table 1–10 lists the change percentage of the OCT resistance with voltage and
temperature.
Table 1–10. OCT Variation After Calibration at Device Power
-Up for Cyclone IV Devices
Nominal Voltage
dR/dT (%/°C)
dR/dV (%/mV)
3.0
0.262
–0.026
2.5
0.234
–0.039
1.8
0.219
–0.086
1.5
0.199
–0.136
1.2
0.161
–0.288
R
V = (V2 – V1) × 1000 × dR/dV –––––
R
T = (T2 – T1) × dR/dT –––––
For
R
x < 0; MFx = 1/ (|Rx|/100 + 1) –––––
Notes to Equation 1–1:
(1) T2 is the final temperature.
(2) T1 is the initial temperature.
(3) MF is multiplication factor.
(4) Rfinal is final resistance.
(5) Rinitial is initial resistance.
(6) Subscript x refers to both V and T.
(7)
R
V is a variation of resistance with voltage.
(8)
R
T is a variation of resistance with temperature.
(9) dR/dT is the change percentage of resistance with temperature after calibration at device power
-up.
(10) dR/dV is the change percentage of resistance with voltage after calibration at device power
-up.
(11) V2 is final voltage.
(12) V1 is the initial voltage.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC15DTES | CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET |
| ACC49DRYN | CONN EDGECARD 98POS .100 DIP SLD |
| ACC49DRYH | CONN EDGECARD 98POS .100 DIP SLD |
| GCB100DHAS | CONN EDGECARD 200PS R/A .050 SLD |
| HMC35DRAI-S734 | CONN EDGECARD 70POS .100 R/A PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EP4CGX150DF27C8N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone IV GX 9360 LABs 393 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4CGX150DF27I7 | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone IV GX 9360 LABs 393 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4CGX150DF27I7N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone IV GX 9360 LABs 393 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4CGX150DF31C7 | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone IV GX 9360 LABs 475 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4CGX150DF31C7N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Cyclone IV GX 9360 LABs 475 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。