参数资料
| 型号： | EP4SE820H35C4 |
| 厂商： | Altera |
| 文件页数： | 11/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC STRATIX IV FPGA 820K 1152HBGA |
| 产品培训模块： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs |
| 标准包装： | 3 |
| 系列： | STRATIX® IV E |
| LAB/CLB数： | 32522 |
| 逻辑元件/单元数： | 813050 |
| RAM 位总计： | 34093056 |
| 输入/输出数： | 744 |
| 电源电压： | 0.87 V ~ 0.93 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 1152-BBGA 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 1152-HBGA（40x40） |
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Chapter 1: DC and Switching Characteristics for Stratix IV Devices
1–11
Electrical Characteristics
March 2014
Altera Corporation
Stratix IV Device Handbook
Volume 4: Device Datasheet and Addendum
Hot Socketing
Table 1–15 lists the hot socketing specifications for Stratix IV devices.
Internal Weak Pull-Up Resistor
Table 1–16 lists the weak pull-up resistor values for Stratix IV devices.
COUTFB
Input capacitance on the dual-purpose clock output and feedback pins
5
pF
CCLK1, CCLK3, CCLK8,
and CCLK10
Input capacitance for dedicated clock input pins
2
pF
Table 1–14. Pin Capacitance for Stratix IV Devices (Part 2 of 2)
Symbol
Description
Value
Unit
Table 1–15. Hot Socketing Specifications for Stratix IV Devices
Symbol
Description
Maximum
IIOPIN (DC)
DC current per I/O pin
300
A
IIOPIN (AC)
AC current per I/O pin
8 mA (1)
I
XCVR-TX (DC)
DC current per transceiver TX pin
100 mA
I
XCVR-RX (DC)
DC current per transceiver RX pin
50 mA
Note to Table 1–15:
(1) The I/O ramp rate is 10 ns or more. For ramp rates faster than 10 ns, |IIOPIN| = C dv/dt, in which C is the I/O pin
capacitance and dv/dt is the slew rate.
Symbol
Description
Conditions (V)
Value (4)
Unit
RPU
Value of the I/O pin pull-up resistor before
and during configuration, as well as user
mode if the programmable pull-up resistor
option is enabled.
25
k
25
k
25
k
25
k
25
k
Notes to Table 1–16:
(1) All I/O pins have an option to enable weak pull-up except configuration, test, and JTAG pins.
(2) Pin pull-up resistance values may be lower if an external source drives the pin higher than VCCIO.
(3) The internal weak pull-down feature is only available for the JTAG TCK pin. The typical value for this internal weak pull-down resistor is
approximately 25 k
(4) These specifications are valid with ±10% tolerances to cover changes over PVT.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| EP4SGX290HF35I3 | IC STRATIX IV FPGA 290K 1152FBGA |
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| EP2S180F1020I4N | IC STRATIX II FPGA 180K 1020FBGA |
| EP2S180F1020C3N | IC STRATIX II FPGA 180K 1020FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EP4SE820H35C4N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix IV E 32522 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4SE820H35I3 | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix IV E 32522 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4SE820H35I3N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix IV E 32522 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4SE820H35I4 | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix IV E 32522 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP4SE820H35I4N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Stratix IV E 32522 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
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