参数资料
| 型号： | EP7311-CB |
| 厂商： | Cirrus Logic Inc |
| 文件页数： | 8/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM720T MCU 74MHZ 256-PBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | EP7 |
| 核心处理器： | ARM7 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 74MHz |
| 连通性： | 编解码器，EBI/EMI，IrDA，键盘，多媒体编解码器，SPI/Microwire1，UART/USART |
| 外围设备： | LCD，LED，MaverickKey，PWM |
| 输入/输出数： | 27 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 56K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 598-1220 |
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Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011
(All Rights Reserved)
DS506F2
EP7311
High-Performance, Low-Power System on Chip
SDRAM Interface
Figure 3 through Figure 6 define the timings associated with all phases of the SDRAM. The following table contains the values for
the timings of each of the SDRAM modes.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SDCLK rising edge to SDCS assert delay time
tCSa
024
ns
SDCLK rising edge to SDCS deassert delay time
tCSd
3
2
10
ns
SDCLK rising edge to SDRAS assert delay time
tRAa
137
ns
SDCLK rising edge to SDRAS deassert delay time
tRAd
3
1
10
ns
SDCLK rising edge to SDRAS invalid delay time
tRAnv
247
ns
SDCLK rising edge to SDCAS assert delay time
tCAa
22
5
ns
SDCLK rising edge to SDCAS deassert delay time
tCAd
50
3
ns
SDCLK rising edge to ADDR transition time
tADv
31
5
ns
SDCLK rising edge to ADDR invalid delay time
tADx
22
5
ns
SDCLK rising edge to SDMWE assert delay time
tMWa
31
5
ns
SDCLK rising edge to SDMWE deassert delay time
tMWd
40
4
ns
DATA transition to SDCLK rising edge time
tDAs
2-
-
ns
SDCLK rising edge to DATA transition hold time
tDAh
1-
-
ns
SDCLK rising edge to DATA transition delay time
tDAd
0
-
15
ns
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