参数资料
| 型号： | EP7311-IB |
| 厂商： | Cirrus Logic Inc |
| 文件页数： | 14/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM720T MCU 74MHZ 256-PBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | EP7 |
| 核心处理器： | ARM7 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 74MHz |
| 连通性： | 编解码器，EBI/EMI，IrDA，键盘，多媒体编解码器，SPI/Microwire1，UART/USART |
| 外围设备： | LCD，LED，MaverickKey，PWM |
| 输入/输出数： | 27 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 56K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 598-1226 |
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DS506F2
Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011
(All Rights Reserved)
21
EP7311
High-Performance, Low-Power System on Chip
Static Memory
Figure 7 through Figure 10 define the timings associated with all phases of the Static Memory. The following table contains the
values for the timings of each of the Static Memory modes.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
EXPCLK rising edge to nCS assert delay time
tCSd
2
8
20
ns
EXPCLK falling edge to nCS deassert hold time
tCSh
2
7
20
ns
EXPCLK rising edge to A assert delay time
tAd
4
9
16
ns
EXPCLK falling edge to A deassert hold time
tAh
310
19
ns
EXPCLK rising edge to nMWE assert delay time
tMWd
3
6
10
ns
EXPCLK rising edge to nMWE deassert hold time
tMWh
3
6
10
ns
EXPCLK falling edge to nMOE assert delay time
tMOEd
3
7
10
ns
EXPCLK falling edge to nMOE deassert hold time
tMOEh
2
7
10
ns
EXPCLK falling edge to HALFWORD deassert delay time
tHWd
2
8
20
ns
EXPCLK falling edge to WORD assert delay time
tWDd
2
8
16
ns
EXPCLK rising edge to data valid delay time
tDv
813
21
ns
EXPCLK falling edge to data invalid delay time
tDnv
615
30
ns
Data setup to EXPCLK falling edge time
tDs
--
1
ns
EXPCLK falling edge to data hold time
tDh
--
3
ns
EXPCLK rising edge to WRITE assert delay time
tWRd
511
23
ns
EXPREADY setup to EXPCLK falling edge time
tEXs
--
0
ns
EXPCLK falling edge to EXPREADY hold time
tEXh
--
0
ns
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PDF描述 |
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