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参数资料
| 型号： | EP7312M-CBZ |
| 厂商： | Cirrus Logic Inc |
| 文件页数： | 16/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM720T MCU 74MHZ 256-PBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | EP7 |
| 核心处理器： | ARM7 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 74MHz |
| 连通性： | 编解码器，DAI，EBI/EMI，IrDA，键盘，SPI/Microwire1，UART/USART |
| 外围设备： | LCD，LED，MaverickKey，PWM |
| 输入/输出数： | 27 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 56K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 包装： | 托盘 |
| 配用： | 598-1209-ND - KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7 |
| 其它名称： | 598-1247 |
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DS508F2
Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011
(All Rights Reserved)
23
EP7312
High-Performance, Low-Power System on Chip
Static Memory Single Write Cycle
Note:
1. The cycle time can be extended by integer multiples of the clock period (22 ns at 45 MHz, 27 ns at 36 MHz, 54 ns at
18.432 MHz, and 77 ns at 13 MHz), by either driving EXPRDY low and/or by programming a number of wait states. EXPRDY is
sampled on the falling edge of EXPCLK before the data transfer. If low at this point, the transfer is delayed by one clock period
where EXPRDY is sampled again. EXPCLK need not be referenced when driving EXPRDY, but is shown for clarity.
2. Zero wait states for sequential writes is not permitted for memory devices which use nMWE pin, as this cannot be driven with
valid timing under zero wait state conditions.
3. Address, Data, Halfword, Word, and Write hold state until next cycle.
EXPCLK
nCS
A
nMWE
HALF-
WORD
D
WRITE
t
HWd
t
WDd
t
CSd
t
Ad
t
MWd
t
Dv
t
MWh
t
CSh
nMOE
EXPRDY
t
EXh
t
EXs
Figure 8. Static Memory Single Write Cycle Timing Measurement
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EP9301-IQZ | IC ARM920T MCU 166MHZ 208-LQFP |
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| ADUC845BSZ8-3 | IC MCU FLASH 24BIT ADC 52MQFP |
| ADUC845BSZ8-5 | IC MCU FLASH 24BIT ADC 52MQFP |
| ADUC845BCPZ8-3 | IC MCU FLASH 24BIT ADC 56LFCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| EP7312M-IVZ | 功能描述:音频片上系统 - SoC IC Hgh-Prfrmnc Low- Power SOC w/SDRAM RoHS:否 制造商:Cirrus Logic |
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