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参数资料
| 型号： | EPC8QI100 |
| 厂商： | Altera |
| 文件页数： | 25/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100-PQFP |
| 产品培训模块： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs |
| 标准包装： | 66 |
| 系列： | EPC |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 存储容量： | 8Mb |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-BQFP |
| 供应商设备封装： | 100-PQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 544-1239 |
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Operating Conditions
Page 31
Enhanced Configuration (EPC) Devices Datasheet
January 2012
Altera Corporation
Operating Conditions
recommended operating conditions, DC operating conditions, supply current values,
and pin capacitance data for the EPC devices.
Table 15. Absolute Maximum Rating for EPC Devices
Symbol
Parameter
Condition
Min
Max
Unit
VCC
Supply voltage
With respect to ground
-0.2
4.6
V
VI
DC input voltage
With respect to ground
-0.5
3.6
V
IMAX
DC VCC or ground current
—
100
mA
IOUT
DC output current, per pin
—
-25
25
mA
PD
Power dissipation
—
360
mW
TSTG
Storage temperature
No bias
-65
150
C
TAMB
Ambient temperature
Under bias
-65
135
C
TJ
Junction temperature
Under bias
—
135
C
Table 16. Recommended Operating Conditions for EPC Devices
Symbol
Parameter
Condition
Min
Max
Unit
VCC
Supplies voltage for 3.3-V operation
—
3.0
3.6
V
VI
Input voltage
With respect to ground
–0.3
VCC + 0.3
V
VO
Output voltage
—
0
VCC
V
TA
Operating temperature
For commercial use
0
70
C
For industrial use
–40
85
C
For military use (1)
–55
125
C
TR
Input rise time
—
20
ns
TF
Input fall time
—
20
ns
Note to Table 16:
(1) Applicable for UBGA88 package of the EPC16 device only.
Table 17. DC Operating Conditions for EPC Devices
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
VCC
Supplies voltage to core
—
3.0
3.3
3.6
V
VIH
High-level input voltage
—
2.0
—
VCC + 0.3
V
VIL
Low-level input voltage
—
0.8
V
VOH
3.3-V mode high-level TTL output
voltage
IOH = –4 mA
2.4
—
V
3.3-V mode high-level CMOS
output voltage
IOH = –0.1 mA
VCC – 0.2
—
V
VOL
Low-level output voltage TTL
IOL = –4 mA DC
—
0.45
V
Low-level output voltage CMOS
IOL = –0.1 mA DC
—
0.2
V
II
Input leakage current
VI = VCC or ground
–10
—
10
A
IOZ
Tri-state output off-state current
VO = VCC or ground
–10
—
10
A
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