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参数资料
型号： ES1PC-E3/85A
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 2/3页
文件大小： 78K
描述： DIODE 1A 150V DO-220AA SMP
标准包装： 10,000
系列： eSMP™
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 150V
电流 - 平均整流 (Io)： 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 920mV @ 1A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)： 25ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 5µA @ 150V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-220AA
供应商设备封装： DO-220AA（SMP）
包装： 带卷 (TR)
‘lllvVISHM ___2_____________________fEEEEEE§1E9LE§1EE7 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 0C unless otherw e noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
Maximum instantaneous IF : 0-6 Atattardvottaae mm
Maximum reverse Current at
rated VR
'F=0-5Aa'tt=1Aa'tr=0-25A
. . IF:1_0A,vH:30v,
Typical reverse recovery time dl/dt : 50 A/H5 I": 10 % IRM T 100 cc
. J :
IF:1_0A,vH:30V,dl/dt:50A/us,l,r:1O%lRM T): 100 °C
Typical junction capacitance 4.0 V, 1 MHZ
N ates(l) Pulse test: 300 (Is pulse width, 1 % duty cycle(2) Pulse test: Pulse width g 40 ms
Typical stored Charge
THERMAL CHARACTERISTICS (rA = 25 0c unless otherwise noted)
PARAMETER Ema
Typical thermal resistance
N ate
ll) Thermal resistance from junction to ambient and junction to lead mounted on PCB with 5.0 mm x 5.0 mm copper pad areas. REJL is
measured at the terminal of cathode band. RGJC is measured at the top Center of the body
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (9) PREFERRED PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
ES1 PB-M3/84A 7" diameter plastic tape and reel
EstPB-Me/tea j ta-I diameter ataetia tape and reel
Tim 7“
ES1 PBH M3/84A (‘J
ES1 PBH M3/85A (‘J
Nate
W Automotive grade
13" diameter plastic tape and reel
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 0C unless otherwise noted)
1.2 30
g I
E 1.0 Ea 25
3 I 5E 0.8 8 20
E G)D: 0 6 :3 15
g 9
t‘: N
g 0 4 E 10
|L TL Measured u°_
at at the Calnooe Band Terminal x
0) ts
E 0 2 u) 5
0’ D.>
<
0 0an 90 I00 I10 I20 I30 I40 150
Lead Temperature ("C) Number of Cycles at 50 HzFig. 1 — Maximum Forward Current Derating Curve Fig. 2 — Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge current
Revision: 30-Oct-13 2 Document Number: 88918
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishaytcom, DiOdesAsia@vishay.com, DiodesEurope@Vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.eom/doo?91000
相关PDF资料
PDF描述
GEM18DTAT-S189 CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
TH3D476K020C0700 CAP TANT 47UF 20V 10% 2917
MAX6138AEXR30+T IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-3
TH3D476M020C0700 CAP TANT 47UF 20V 20% 2917
195D334X9050S8T CAP TANT 0.33UF 50V 10% 1507
相关代理商/技术参数
参数描述
ES1PCHE3/84A 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
ES1PCHE3/85A 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
ES1PCHM3/84A 功能描述:整流器 150volt 1.0amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
ES1PCHM3/85A 功能描述:整流器 150volt 1.0amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
ES1PC-M3/84A 功能描述:整流器 150volt 1.0amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
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