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参数资料
| 型号： | ES3C-13-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 116K |
| 描述： | DIODE SUPER FAST 150V 3A SMC |
| 产品目录绘图： | SMC Side SMC Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 45pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | SMC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1597 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ES3C-FDIDKR |
ES3A/AB - ES3D/DB
Document number: DS14003 Rev. 15 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2010
? Diodes Incorporated
ES3A/AB - ES3D/DB
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol ES3A/AB ES3B/BB ES3C/CB ES3D/DB Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage (Note 4)
VRRM
VRWM
VR
50 100 150 200 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
35 70 105 140 V
Average Rectified Output Current @ TT
= 100
°CIO
3.0 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
100 A
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal
RθJT
10
°C/W
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)
RθJA
50
°C
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Forward Voltage @ IF
= 3.0A
VFM
0.9
V
Peak Reverse Current @ TA
= 25
°C
at Rated DC Blocking Voltage (Note 4) @ TA
= 125
°C
IRM
10
500
μA
Maximum Reverse Recovery Time (Note 6)
trr
25
ns
Typical Total Capacitance (Note 7)
CT
45
pF
Notes: 4. Short duration pulse test used
to minimize self-heating effect.
5. Unit mounted on PC board with 5.0 mm2
(0.013 mm thick) copper pads as heat sink.
6. Measured with IF
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A. See Figure 5.
7. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
1
2
25
75
100
50
125 150 175
I, AVE
R
A
G
E
R
E
C
T
I
F
IED
C
U
R
R
EN
T
(A)
O
T , TERMINAL TEMPERATURE ( C)T
°
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
3
4
0
Note 3
0.01
0.1
1.0
10
0 0.4 0.8 1.2 1.6
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES3C | DIODE FAST 3A 150V SMC |
| ESH2DHE3/52T | DIODE 2A 200V 25NS UF RECT SMB |
| FDH333TR | DIODE 125V 200MA DO35 |
| FDH3595 | DIODE 125V 200MA DO35 |
| FDH400TR | DIODE GEN PURPOSE 150V DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ES3CB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:3.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| ES3CB-13 | 功能描述:整流器 150V 3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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| ES3C-E3/1T | 功能描述:整流器 150 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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