参数资料
| 型号： | ESD1P0RFW H6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE RF ESD 1CH SOT323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 70V |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | PG-SOT323-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SP000753520 |
ESD1P0RF...
Maximum Ratings at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
ESD contact discharge 1)
Peak pulse current ( t p = 8 / 20 μs) 2)
Operating temperature range
Storage temperature
Symbol
V ESD
I pp
T op
T stg
Value
20
10
-55...150
-65...150
Unit
kV
A
°C
Electrical Characteristics at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Values
typ.
max.
Unit
Characteristics -
Reverse working voltage 3)
Reverse current
V RWM
I R
-
-
-
-
70
100
V
nA
V R = 70 V
Forward clamping voltage 2)
V FC
V
I PP = 3 A, t p = 8/20 μs
I PP = 10 A, t p = 8/20 μs
Line capacitance 4)
V R = 0 V, f = 1 MHz
V R = 0 V, f = 1 MHz, for Application example 4
Series inductance (per diode)
SOT323
SOT363
C T
L S
-
-
-
-
-
-
4
12
1
0.5
1.4
1.6
7
15
1.5
0.75
-
-
pF
nH
ESD according to IEC61000-4-2, only valid in anti-parallel or rail-to-rail connection.
pp according to IEC61000-4-5, only valid in anti-parallel or rail-to-rail connection.
1 V
Please refer to the application examples.
2 I
Please refer to the application examples.
3 Only
4 Total
valid in rail-to-rail configuration V CC ≥ V RWM
capacitance line to ground (2 diodes in parallel)
2
2011-07-20
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PDF描述 |
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参数描述 |
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