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参数资料
| 型号： | ESD5V0S2U-06 E6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODES TVS UNIDIRECT SOT-23 |
| 产品目录绘图： | Circuit SOT-23, TSFP-3 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.7V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | PG-SOT23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1621 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ESD5V0S2U-06E6327INDKR |
ESD5V0S...
Maximum Ratings at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
ESD contact discharge 1)
Peak pulse current ( t p = 8 / 20 μs) 2)
Peak pulse power ( t p = 8 / 20 μs) 2)
Operating temperature range
Storage temperature
Symbol
V ESD
I pp
P pk
T op
T stg
Value
30
40
600
-55...125
-65...150
Unit
kV
A
W
°C
Electrical Characteristics at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Values
typ.
max.
Unit
Characteristics -
Reverse working voltage
Breakdown voltage
V RWM
V (BR)
-
5.5
-
6.7
5
8
V
I (BR) = 1 mA
Reverse current
I R
μA
V R = 3.3 V
V R = 5 V
Clamping voltage (positive transient)
I PP = 5 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 24 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 40 A, t p = 8/20 μs 2)
Forward clamping voltage (negative transients)
I PP = 5 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 24 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 40 A, t p = 8/20 μs 2)
V CL
V FC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.5
9
11
1.5
3
4
5
20
9.5
12
14
3
5
6
V
Diode capacitance
C T
-
430
500
pF
V R = 0 V, f = 1 MHz
1 V ESD according to IEC61000-4-2
2 I pp according to IEC61000-4-5
2
2011-06-17
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PDF描述 |
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