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参数资料
| 型号： | ESD5V0S4USE6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE TVS ARRAY 4LINE SOT363-6 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Mar/2011 |
| 产品目录绘图： | Circuit SOT-363 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.7V |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | PG-SOT363-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ESD5V0S4USE6327INDKR |
ESD5V0SxUS
Maximum Ratings at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
ESD contact discharge per diode 1)
Peak pulse current ( t p = 8 / 20 μs) per diode 2)
Peak pulse power ( t p = 8 / 20 μs) per diode
Operating temperature range
Storage temperature
Symbol
V ESD
I pp
P pk
T op
T stg
Value
30
10
130
-55...125
-65...150
Unit
kV
A
W
°C
Electrical Characteristics at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Values
typ.
max.
Unit
Characteristics -
Reverse working voltage
Breakdown voltage
V RWM
V (BR)
-
5.7
5
6.7
5.3
7.7
V
I (BR) = 1 mA
Reverse current
I R
μA
V R = 3.3 V
V R = 5 V
Clamping voltage (positive transients)
I PP = 1 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 10 A, t p = 8/20 μs 2)
Forward clamping voltage (negative transients)
I PP = 1 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 10 A, t p = 8/20 μs 2)
Diode capacitance
V R = 0 V, f = 1 MHz
V R = 5 V, f = 1 MHz
V CL
V FC
C T
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
10.5
1
3.5
70
35
1
5
9
13
3
6
90
55
V
pF
1 V ESD according to IEC61000-4-2
2 I pp according to IEC61000-4-5
2
2011-06-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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