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参数资料
| 型号： | ESD5V3S1U-02LRH E6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE TVS UNI-DIR 5.3V TSLP-2 |
| 应用说明： | ESD5V3S1(B,U)-02LRH/02LS Application Note |
| 产品目录绘图： | ESD5V3S1U-02LRH E6327_Schem |
| 其它图纸： | Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.7V |
| 功率（瓦特）： | 66W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | TSLP-2-17 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | ESD5V3S1U-02LRH E6327CT |
ESD5V3S1U-02LRH
Type
ESD5V3S1U-02LRH
Package
TSLP-2-17
Configuration
1 line, uni-directional
Marking
E2
Maximum Ratings at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
ESD air / contact discharge 1)
Peak pulse current ( t p = 8 / 20 μs) 2)
Peak pulse power ( t p = 8 / 20 μs 2)
Operating temperature range
Storage temperature
Symbol
V ESD
I pp
P pk
T op
T stg
Value
25 / 20
5.5
66
-55...125
-65...150
Unit
kV
A
W
°C
Electrical Characteristics at T A = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Values
typ.
max.
Unit
Characteristics
Reverse working voltage
Breakdown voltage
V RWM
V (BR)
-
5.7
-
-
5.3
-
V
I (BR) = 1 mA
Reverse current
I R
-
-
0.1
μA
V R = 3.3 V
Clamping voltage
V CL
V
I PP = 1 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 3.5 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 5.5 A, t p = 8/20 μs 2)
Forward clamping voltage
I PP = 1 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 3.5 A, t p = 8/20 μs 2)
I PP = 5.5 A, t p = 8/20 μs 2)
Diode capacitance
V R = 0 V, f = 1 MHz
V R = 2.5 V, f = 1 MHz
V FC
C T
-
-
-
-
-
-
-
-
7
8
9
1.2
2
2.5
35
20
9
10
11
2
3
3.5
40
-
pF
Dynamic resistance 3) ( t p = 30 ns)
R D
-
0.27
-
?
1 V ESD according to IEC61000-4-2
2 I pp according to IEC61000-4-5
3
according to TLP tests
2
2011-06-17
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