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参数资料
| 型号： | ESD5V3U4U-HDMI E6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD ARRAY 5.3V TSLP-9 |
| 产品目录绘图： | ESD5V3U4U Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5.3V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 9-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装： | PG-TSLP-9 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | ESD5V3U4U-HDMI E6327INCT |
ESD5V3U4U-HDMI
Characteristics
Table 3-3
RF Characteristics at T A = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit
Note /
Test Condition
Line capacitance
1)
C L
–
0.4
0.6
pF
V R = 0 V, f = 1 MHz
(I/O to GND)
Line capacitance
C L
–
0.2
0.3
pF
V R = 0 V, f = 1 MHz
(I/O to I/O)
1) Total capacitance line to ground
Table 3-4
ESD Characteristics at T A = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit
Note /
Test Condition
Clamping voltage 1)
V CL
–
19
–
V
I PP = 16 A
(I/O to GND)
–
28
–
V
I PP = 30 A
(I/O to GND)
Forward clamping
voltage 1)
V FC
–
–
10
17
–
–
V
V
I PP = 16 A
(GND to I/O)
I PP = 30 A
(GND to I/O)
Dynamic resistance
R DYN
–
0.6
–
?
I/O to GND
–
0.5
–
GND to I/O
1) Please refer to Application Note AN210 [1] . TLP parameter: Z 0 = 50 Ω , t p = 100ns, t r = 300ps, averaging window: t 1 = 30 ns
to t 2 = 60 ns, extraction of dynamic resistance using least squares fit of TLP characteristic between I PP1 = 10 A and
I PP2 = 40 A.
FinalData Sheet
6
Revision 1.1, 2012-07-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ESD5Z | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Transient Voltag e Suppressors for ESD Protection 200 WATTS 2.5-7.0 VOLTS |
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