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参数资料
| 型号： | ESD7484NCTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT 4CH 10-WLCSP |
| 标准包装： | 5,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3V |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 功率（瓦特）： | 70W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 10-WLCSP（1.6x1.1） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ESD7484
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V PP
P PP
T J
T stg
Parameter
ESD IEC61000 ? 4 ? 2, level 4 – air discharge (external pins)
ESD IEC61000 ? 4 ? 2, level 4 – contact discharge (external pins)
Peak Pulse Power Dissipation (8/20 m s)
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Value
± 15
± 15
70
125
? 55 to +150
Unit
kV
W
° C
° C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Note 1)
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
V BR
I RM
C line
Breakdown Voltage (Ir = 1 mA)
Leakage Current @ V rm (V rm = 3 V per line)
V line = 0 V, V osc = 30 mV, F = 1 MHz, Capacitor between I/O and GND
6
3
1.6
9
100
1.75
V
nA
pF
V line = 0 V, V osc = 30 mV, F = 1 MHz, Capacitor between I/O
0.8
D C I/O ? I/O
V line = 0 V, V osc = 30 mV, F = 1 MHz, Capacitance Variation between I/O
0.006
pF
1. All parameters specified at T A = 25 ° C unless otherwise noted.
2. Standard IEC 61000 ? 4 ? 2 with C Discharge = 150 pF, R Discharge = 330 W .
http://onsemi.com
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