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参数资料
| 型号： | ESD7951ST5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS ESD ULT LOW CAP SOD-923 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.4V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-923 |
| 供应商设备封装： | SOD-923 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ESD7951ST5GOSDKR |
ESD7951ST5G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
I PP
V C
V RWM
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I PP
I
I R
V BR
I T
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
I T
V C V BR V RWM I R
I R V RWM V BR V C
I T
V
I F
Forward Current
V F
P pk
C
Forward Voltage @ I F
Peak Power Dissipation
Capacitance @ V R = 0 and f = 1.0 MHz
I PP
Bi ? Directional TVS
*See Application Note AND8308/D for detailed explanations of
datasheet parameters.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
V RWM
(V)
I R ( m A)
@ V RWM
V BR (V) @ I T
(Note 2)
I T
C (pF)
V C (V)
@ I PP = 1 A
(Note 3)
V C
Device
ESD7951ST5G
Device
Marking
AA
Max
5.0
Max
1.0
Min
5.4
mA
1.0
Typ
0.5
Max
0.9
Max
12.9
Per IEC61000 ? 4 ? 2
(Note 4)
Figures 1 and 2
See Below
2. V BR is measured with a pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ° C.
3. Surge current waveform per Figure 5.
4. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
http://onsemi.com
2
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