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参数资料
| 型号： | ESD8V0L1B-02LRH E6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS LO CAP 1CHAN BIDIR TSLP-2 |
| 产品目录绘图： | Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 8V |
| 电压 - 击穿： | 14.5V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | PG-TSLP-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1621 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ESD8V0L1B-02LRHE6327INDKR |
ESD8V0L...
Application example ESD8V0L2B...
2 channels, bi-directional
2 protected signal lines, level up to
1
2
-8V/+14V
I/O
I/O
ESD sensitive
device
The protection diode should be placed very
close to the location where the ESD or
other transients can occur to keep loops
and inductances as small as possible.
Pin 3 should be connected directly to a
3
ground plane on the board.
Application example ESD8V0L2B...
1 high-speed channel, bi-directional
Protected high-speed signal line, level up to
±22V (bi-directional)
2
I/O
ESD sensitive
device
3
1
Application example ESD8V0L1B...
1 channel, bi-directional
Protected signal line, level up to
Pin 1 (or pin 2) should be
connected directly to a
ground plane on the board.
Pin 3 is not connected.
-8/+14V or +8/-14 V
I/O
ESD sensitive
device
2
Pin 1 (or Pin 2) should be connected directly to a
ground plane on the board .
1
5
2012-09-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ESD8V0L2B-03L E6327 | 功能描述:TVS二极管阵列 Diode TVS Dual Bi-Dir 14V RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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