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参数资料
| 型号： | ESD8V0R1B-02LS E6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS BIDIR 1LINE TSSLP-2-1 |
| 产品目录绘图： | Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 8V |
| 电压 - 击穿： | 14.5V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-XFDFN |
| 供应商设备封装： | PG-TSSLP-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1621 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ESD8V0R1B-02LSE6327INDKR |
ESD8V0R1B...
Non-repetitive peak pulse power
P pk = ? ( t p )
10 3
Power derating curve P pk = ? ( T A )
110
%
W
90
10 2
10 1
D= 0
D= .005
D= .01
D= .02
D= .05
D= .1
D= .2
D= .5
80
70
60
50
40
30
20
10
10 0
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
0
0
25
50
75
100
°C
150
Reverse current I R = ? ( V R )
T A = Parameter
10 1
nA
TA = 85°C
10 0
t p
Diode capacitance C T = ? (V R )
f = 1MHz
7
pF
5
T A
4
TA = 25°C
3
10 -1
2
1
10 -2
0
2
4
6
8
10
V
14
0
0
2
4
6
8
10
12
V
15
V R
3
V R
2009-12-18
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PDF描述 |
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