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参数资料
| 型号： | ESM2012DF |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 125V V(BR)CEO | 120A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管电源模块|达林顿| 125伏特的五（巴西）总裁| 120A条一（c） |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 396K |
| 代理商： | ESM2012DF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ESM2030AV | |
| ESM2030DF | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 300V V(BR)CEO | 67A I(C) |
| ESM269 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | TO-72 |
| ESM3030DF | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 300V V(BR)CEO | 100A I(C) |
| ESM3045AF | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 22A I(C) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ESM2012DV | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Power Mod RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ESM2012DV | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON SOT-227 |
| ESM2012DV_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:NPN DARLINGTON POWER MODULE |
| ESM2030AV | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| ESM2030DF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 300V V(BR)CEO | 67A I(C) |
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