参数资料
| 型号： | EVAL-ADM1166TQEBZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 28/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL FOR ADM1166TQ |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
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ADM1166
1
9
1
9
SCL
SDA
0
1
1
0
1
A1
A0 R/W
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
START BY
MASTER
FRAME 1
ACK. BY
SLAVE
FRAME 2
ACK. BY
MASTER
1
SLAVE ADDRESS
9
1
DATA BYTE
9
SCL
(CONTINUED)
SDA
(CONTINUED)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
FRAME 3
DATA BYTE
ACK. BY
MASTER
FRAME N
DATA BYTE
NO ACK.
STOP
BY
MASTER
Figure 37. General SMBus Read Timing Diagram
SCL
t LO W
t R
t F
t HD; S TA
t HD; S TA
t HD; D AT
t SU; D AT
t HI G H
t SU; S TA
t SU; S TO
SDA
t BUF
P
S
S
P
Figure 38. Serial Bus Timing Diagram
SMBus PROTOCOLS FOR RAM AND EEPROM
The ADM1166 contains volatile registers (RAM) and nonvolatile
registers (EEPROM). User RAM occupies Address 0x00 to
Address 0xDF, and the EEPROM occupies Address 0xF800 to
Address 0xFBFF.
Data can be written to and read from both the RAM and the
EEPROM as single data bytes. Data can be written only to
EEPROM erasure cannot be done at the byte level. The EEPROM
is arranged as 32 pages of 32 bytes each, and an entire page
must be erased.
Page erasure is enabled by setting Bit 2 in the UPDCFG register
(Address 0x90) to 1. If this bit is not set, page erasure cannot
occur, even if the command byte (0xFE) is programmed across
the SMBus.
unprogrammed EEPROM locations. To write new data to a
programmed location, the location contents must first be erased.
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PDF描述 |
|---|---|
| EVAL-ADM1168LQEBZ | BOARD EVAL FOR ADM1168LQ |
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参数描述 |
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