参数资料
| 型号： | EX128-TQG100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 14/48页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA ANTIFUSE 6K 100-TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | EX |
| 逻辑元件/单元数： | 256 |
| 输入/输出数： | 70 |
| 门数： | 6000 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
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eX Family FPGAs
Revision 10
1-17
2.5 V LVCMOS2 Electrical Specifications
Symbol
Commercial
Industrial
Units
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
VOH
VCCI = MIN, VI = VIH or VIL
(IOH = –100 mA)
2.1
V
VCCI = MIN, VI = VIH or VIL
(IOH = –1 mA)
2.0
V
VCCI = MIN, VI = VIH or VIL
(IOH = –2 mA)
1.7
V
VOL
VCCI = MIN, VI = VIH or VIL
(IOL = 100 mA)
0.2
V
VCCI = MIN, VI = VIH or VIL
(IOL = 1mA)
0.4
V
VCCI = MIN,VI = VIH or VIL
(IOL = 2 mA)
0.7
V
VIL
Input Low Voltage, VOUT
VOL (max.)
–0.3
0.7
-0.3
0.7
V
VIH
Input High Voltage, VOUT
VOH (min.)
1.7
VCCI + 0.3
1.7
VCCI + 0.3
V
IIL/ IIH
Input Leakage Current, VIN = VCCI or
GND
–10
10
–10
10
A
IOZ
3-State
Output
Leakage
Current,
VOUT = VCCI or GND
–10
10
–10
10
A
tR, tF1,2 Input Transition Time
10
ns
CIO
I/O Capacitance
10
pF
ICC3,4
Standby Current
1.0
3.0
mA
IV Curve Can be derived from the IBIS model at www.microsemi.com/soc/custsup/models/ibis.html.
Notes:
1. tR is the transition time from 0.7 V to 1.7 V.
2. tF is the transition time from 1.7 V to 0.7 V.
3. ICC max Commercial –F = 5.0 mA
4. ICC = ICCI + ICCA
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