F1951EVBI

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说明
操作

F1951EVBI
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
15780
IDT
NA
20+
-
进口原装正品假一赔十

F1951EVBI
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
34000
IDT
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

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F1951EVBI 技术参数

F1950NBGI 功能描述:RF Attenuator 33dB @ 150MHz ~ 4GHz 150MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:33dB @ 150MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:150MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F-193U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效类型:叠片核心电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:24V 电流 - 输出（最大值）:4A 初级绕组:单一次级绕组:单一中心抽头:是功率 - 最大值:96 VA 安装类型:底座安装端子类型:导线引线大小/尺寸:79.38mm 长 x 71.42mm 宽高度 - 安装（最大值）:71.42mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F-192X 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效类型:叠片核心电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:24V 电流 - 输出（最大值）:2A 初级绕组:单一次级绕组:单一中心抽头:是功率 - 最大值:48 VA 安装类型:底座安装端子类型:导线引线大小/尺寸:101.60mm 长 x 57.15mm 宽高度 - 安装（最大值）:65.86mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1912NCGI 功能描述:RF Attenuator 0.5dB ±0.5dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 20-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:0.5dB 容差:±0.5dB 频率范围:0 ~ 4GHz 功率（W）:1.5W 阻抗:50 欧姆封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F-18X 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效类型:叠片核心电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:6.3V 电流 - 输出（最大值）:6A 初级绕组:单一次级绕组:单一中心抽头:是功率 - 最大值:37.8 VA 安装类型:底座安装端子类型:导线引线大小/尺寸:101.60mm 长 x 57.15mm 宽高度 - 安装（最大值）:65.86mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1977EVBI F1977EVS F1977NBGI F1978NCGK F-197U F-198U F1ABXN-1B08-10F F1ABXN-1B08-10S F1ABXN-6408-10F F1ABXN-6408-10S F1ABXO-1B08-10F F1ABXO-1B08-10S F1ABXO-6408-10F F1ABXO-6408-10S F1ABZN-1B08-10F F1ABZN-1B08-10S F1ABZN-6408-10F F1ABZN-6408-10S