F1969

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F1969 技术参数

F-195X 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效类型:叠片核心电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:15.5V，32V 电流 - 输出（最大值）:750mA，250mA 初级绕组:单一次级绕组:双中心抽头:是功率 - 最大值:19.63 VA 安装类型:底座安装端子类型:导线引线大小/尺寸:95.25mm 长 x 47.63mm 宽高度 - 安装（最大值）:57.15mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1956NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:31.75dB 容差:±0.1dB 频率范围:0 ~ 4GHz 功率（W）:1.5W 阻抗:50 欧姆封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1953NCGI 功能描述:RF Attenuator 32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 400MHz ~ 4GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:32.4dB @ 400MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:400MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1951NBGI 功能描述:RF Attenuator 32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 100MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:32.5dB @ 100MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:100MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F1950NBGI 功能描述:RF Attenuator 33dB @ 150MHz ~ 4GHz 150MHz ~ 4GHz 24-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效衰减值:33dB @ 150MHz ~ 4GHz 容差:- 频率范围:150MHz ~ 4GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘标准包装:490 F-198U F1ABXN-1B08-10F F1ABXN-1B08-10S F1ABXN-6408-10F F1ABXN-6408-10S F1ABXO-1B08-10F F1ABXO-1B08-10S F1ABXO-6408-10F F1ABXO-6408-10S F1ABZN-1B08-10F F1ABZN-1B08-10S F1ABZN-6408-10F F1ABZN-6408-10S F1ABZO-1B08-10F F1ABZO-1B08-10S F1ABZO-6408-10F F1ABZO-6408-10S F1ACXN-6408-10F