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FDN357AP

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  • FDN357AP
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  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
    深圳市荣泽信电子科技有限公司

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    电话:18028731859

    地址:华富村东区417室

  • 10000

  • Fairchil

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  • FDN357AP
    FDN357AP

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 865000

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FDN357AP 技术参数
  • FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMF8705 功能描述:功率驱动器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDN371N FDN372S FDN537N FDN5618P FDN5630 FDN5630_F095 FDN5632N_F085 FDN5632N-F085 FDN8601 FDN86246 FDN86265P FDN86501LZ FDP020N06B_F102 FDP020N06B-F102 FDP023N08B_F102 FDP023N08B-F102 FDP025N06 FDP027N08B
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