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FW80200M600SL58B

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • INTEL

  • 原厂封装

  • 07/08+

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  • FW80200M600SL58B
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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FW80200M600SL58B 技术参数
  • FW80200M400SL676 功能描述:IC I/O PROCESSOR 400MHZ 241-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器 系列:- 标准包装:2 系列:MPC8xx 处理器类型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特点:- 速度:133MHz 电压:3.3V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:357-BBGA 供应商设备封装:357-PBGA(25x25) 包装:托盘 FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):45V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A,4.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A,5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):45V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 8A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW813-TL-H FW82439HXSU115 FW82439TXSL28T FW82443BXSL2VH FW906-TL-E FW907-TL-E FWA.1B.308.CLA FWA.1B.310.CLA FWA.MH.03C.XLZ FWA.SH.306.XLA FWA020005A-10A FWA020005A-10B FWA020005B-10A FWA020005B-10B FWA020009A-10A FWA020009A-10B FWA020009B-10A FWA020009B-10B
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