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参数资料
| 型号： | FAN73832N |
| 厂商： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
| 英文描述： | Half-Bridge Gate-Drive IC |
| 中文描述： | 半桥栅极驱动集成电路 |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 1128K |
| 代理商： | FAN73832N |
F
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FAN73832 Rev. 1.0.0
www.fairchildsemi.com
7
Dynamic Electrical Characteristics
V
BIAS
(V
DD
, V
BS
)=15.0V, V
S
=GND, C
L
=1000pF, R
DT
=20K
Ω
and T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified.
Note:
5.
This parameter, although guaranteed, is not 100% tested in production.
Symbol
t
ON
t
OFF
t
R
t
F
t
SD(5)
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
580
180
50
30
100
400
1.68
0
0
Max.
730
230
100
80
180
500
2.30
60
150
Unit
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Shutdown propagation delay
V
S
=0V, R
DT
=20K
Ω
V
S
=0V, R
DT
=20K
Ω
C
L
=1000pF
C
L
=1000pF
nsec
DT1, DT2
Dead-time LO OFF to HO ON & HO
OFF to LO ON
R
DT
=20K
Ω
R
DT
= 200K
Ω
R
DT
= 20K
Ω
R
DT
=200K
Ω
300
1.20
DMT
Dead-time matching
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PDF描述 |
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