参数资料
型号: FCA20N60_F109
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
标准包装: 30
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3080pF @ 25V
功率 - 最大: 208W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
Mechanical Dimensions
TO-3PN
Dimensions in Millimeters
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 Rev. A 4
8
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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