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参数资料
| 型号： | FCD7N60TM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
150 ℃
10
10
10
0
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
25 ℃
-55 ℃
※ Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
1
10
0.8
0.6
V GS = 20V
0
150 ℃
25 ℃
0.4
※ Notes :
0.2
※ Note : T J = 25 ℃
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
3000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
2000
C oss
※ Notes :
8
6
1000
C iss
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 7A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FCD7N60 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FCD820C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:OPTICALLY-COUPLED ISOLATOR |
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