参数资料
型号: FCP20N60
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图: MOSFET TO-220F
标准包装: 50
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3080pF @ 25V
功率 - 最大: 208W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
产品目录页面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FCP20N60_NL
FCP20N60_NL-ND
Mechanical Dimensions
TO - 220
Dimensions in Millimeters
FCP20N60 / FCPF20N60 Rev. A 2
8
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FCP20N60 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 600V, 20A, TO-220
FCP20N60_F080 功能描述:MOSFET Trans N-Ch 600V 20A 3-Pin 3+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FCP20N60FS 功能描述:MOSFET 600V NH MOSFET FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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