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参数资料
| 型号： | FCPF20N60TYDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
0.9
Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
1.0
0.5
Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 20 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FCP20N60
Operation in This Area
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FCPF20N60
Operation in This Area
10
2
is Limited by R DS(on)
10
2
is Limited by R DS(on)
100 us
100 us
10
1
1 ms
10
1
1 ms
DC
10 ms
10 ms
100 ms
10
0
10
0
DC
Notes :
Notes :
10
10
-1
1. T C = 25 ° C
2. T J = 150 ° C
3. Single Pulse
-1
1. T C = 25 ° C
2. T J = 150 ° C
3. Single Pulse
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
10
0
1
2
3
-2
10
0
1
2
3
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
25
20
15
10
5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ ° C]
FCP20N60 / FCPF20N60 Rev. A 2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC530-11.059 | OSC 11.059 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| PB-12331AVQ | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V |
| 2N7002_NB9G002 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| HCM49-4.433619MABJT | CRYSTAL 4.433619 MHZ 18PF SMD |
| FXO-HC530-11.0592 | OSC 11.0592 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCPF21N60NT | 功能描述:MOSFET SupreMOS, 21A TO220F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF22N60NT | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF260N60E | 功能描述:MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF260N60E_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SUPERFET2, 260MOHM, TO220F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 600V 15A TO-220F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / SuperFET2, 260mohm, TO220F |
| FCPF36N60NT | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SUPREMOS, 36A IN TF220 - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IC LINEAR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / SupreMOS, 36A in TF220 |
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