参数资料
型号: FCPF7N60T
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
标准包装: 1,000
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 600 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 25V
功率 - 最大: 31W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FCP7N60
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
N o te s :
1 . Z θ J C (t) = 1 .5 ° C /W M a x.
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T JM - T C = P D M * Z θ J C (t)
0 .0 1
P DM
10
-2
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FCPF7N60
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
N o te s :
1 . Z θ J C (t) 4 .0 ° C /W M a x.
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
10
-1
0 .0 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
0 .0 1
P DM
10
-2
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP7N60 / FCPF7N60 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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参数描述
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