参数资料
型号: FD1200029
厂商: Pericom
文件页数: 3/3页
文件大小: 0K
描述: OSC 12MHZ 3.3V SMD
标准包装: 100
系列: SaRonix-eCera™ FD
类型: XO(标准)
频率: 12MHz
功能: 三态(输出启用)
输出: CMOS
电源电压: 3.3V
频率稳定性: ±25ppm
工作温度: -20°C ~ 70°C
电流 - 电源(最大): 15mA
安装类型: 表面贴装
尺寸/尺寸: 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm)
高度: 0.051"(1.30mm)
封装/外壳: 4-SMD,无引线(DFN,LCC)
包装: 散装
电流 - 电源(禁用)(最大): 10µA
3.3V CMOS Low Jitter XO
FD
FD Series Crystal Clock Oscillator (XO)
Legacy S1633 Series | 5.0 x 3.2mm
Test Circuit
Test Point
Power
Supply
0.1 μ F
or
0.01 μ F
4
1
3
2
15 pF
(Including probe
and fixture
capacitance)
Output Enable / Disable Function
Re ? ow Soldering Pro ? le
As per IPC/JEDEC J-STD-020C
260
1 to 3°C/sec max
Peak 260°C for 10 sec max
1 to 3°C/sec
217
Time
60 to 90 sec
4 to 6 minutes max
Reliability Test Ratings
This product is rated to meet the following test conditions:
Type
Mechanical
Mechanical
Mechanical
Mechanical
Mechanical
Mechanical
Environmental
Environmental
Environmental
Environmental
Parameter
Shock
Solderability
Terminal strength
Gross leak
Fine leak
Solvent resistance
Thermal shock
Moisture resistance
Vibration
Resistance to soldering heat
Test Condition
MIL-STD-883, Method 2002, Condition B
JESD22-B102-D Method 2 (Preconditioning E)
MIL-STD-883, Method 2004, Condition D
MIL-STD-883, Method 1014, Condition C
MIL-STD-883, Method 1014, Condition A2 (R 1 = 2x10 -8 atm cc/s)
MIL-STD-202, Method 215
MIL-STD-883, Method 1011, Condition A
MIL-STD-883, Method 1004
MIL-STD-883, Method 2007, Condition A
J-STD-020C Table 5-2 Pb-free devices (2 cycles max)
SaRonix-eCera? is a Pericom? Semiconductor company
?
US: 1-408-435-0800 TW: 886-3-4518888
?
www.saronix-ecera.com
All specifications are subject to change without notice.
FD 3.3V REV2008_DEC04_01.2
3
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PDF描述
FN0670003 OSC 6.7584MHZ 3.3V SMD
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参数描述
FD1200030 功能描述:OSC 12MHZ 3.3V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态(输出启用) 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源(最大):60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) 高度:0.071"(1.80mm) 封装/外壳:6-SMD,无引线(DFN,LCC) 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源(禁用)(最大):- 其它名称:SER3790DKR
FD1200R12IE4_B1_S1 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FD1200R17HP4-K_B2 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FD1200R17KE3-K 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.6KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FD1200R17KE3-K_B2 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: