- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDA20N50_F109 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDA20N50_F109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
November 2013
FDA20N50_F109
N-Channel UniFET TM MOSFET
500 V, 20 A, 230 m ?
Features
? R DS(on) = 230 m ? (Max.) @ V GS = 10 V, I D = 10 A
? Low Gate Charge (Typ. 45.6 nC)
? Low C rss (Typ. 27 pF)
? 100% Avalanche Tested
? Improved dv/dt Capability
Applications
Description
UniFET TM MOSFET is Fairchild Semiconductor ’s high voltage
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to
provide better switching performance and higher avalanche
energy strength. This device family is suitable for switching
power converter applications such as power factor correction
(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic
lamp ballasts.
? PDP TV
? Uninterruptible Power Supply
? AC-DC Power Supply
D
G
G
D
S
TO-3PN
S
Absolute Maximum Ratings T C = 25 o C unless otherwise noted. ?
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FDA20N50_F109
500
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25 ? C)
- Continuous (T C = 100 ? C)
22
13.2
A
A
I DM
V GSS
Drain Current
Gate-Source voltage
- Pulsed
(Note 1)
88
? 30
A
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
1110
22
28.0
20
mJ
A
mJ
V/ns
P D
Power Dissipation
(T C = 25 ? C)
- Derate above 25 ? C
280
2.3
W
W/ ? C
T J, T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +150
300
? C
? C
Thermal Characteristics
Symbol
R ? JC
R ? JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FDA20N50_F109
0.44
40
Unit
? C/W
? C/W
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA20N50_F109 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA20N50 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P |
| FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN |
| FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3 |
| FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN |
| FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDA210 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA210E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA210ES | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA210S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA215 | 功能描述:固态继电器-PCB安装 Photovoltaic-Output 2.5kV ISOLATION DIP RoHS:否 制造商:Omron Electronics 控制电压范围: 负载电压额定值:40 V 负载电流额定值:120 mA 触点形式:1 Form A (SPST-NO) 输出设备:MOSFET 封装 / 箱体:USOP-4 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。