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参数资料
| 型号： | FDA50N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 137nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Typical Switching Losses vs.
Gate Resistance
Figure 14. Unclamped Inductive Switching
Capability
1,000
800
600
Eoff
100
Notes :
1. If R = 0 Ω
t AV = (L)(I AS )/(1.3 Rated BV DSS - V DD )
2. If R ≠ 0 Ω
t AV = (L/R)In[(I AS x R)/(1.3 Rated BV DSS - V DD )+1]
Starting T J = 150 C
Starting T J = 25 C
Eon
10
o
o
400
Notes :
200
1. V DS = 400 V
2. V GS = 12 V
3. I D = 25A
4. T J = 125 C
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
o
50
1
0.01
0.1
1
10
100
R G , Gate resistance [ Ω ]
t AV , Time In Avalanche [ms]
Figure 15. Transient Thermal Resistance Curve
1. Z θ JC (t) = 0.2 C/W Max.
10
-1
D=0.5
0.2
0.1
Notes :
o
10
-2
0.05
0.02
0.01
single pulse
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
P DM
t 1
t 2
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , Square W ave Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 7040-PW750-N | LED ENDOR STAR MODULE WHT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDA50N50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA50N50_NWUA002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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| FDA59N30 | 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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