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参数资料
| 型号： | FDB060AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 255W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB060AN08A0DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
200
0.9
-80
-40
0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
7000
10
V DD = 40V
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
C ISS = C GS + C GD
8
6
4
V GS = 0V, f = 1MHz
100
0.1 1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
75
2
0
0
2 0
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 80A
I D = 16A
40 60
Q g , GATE CHARGE (nC)
80
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP060AN08A0 / FDB060AN08A0 Rev. C 4
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A6HF-0102-P | SWITCH DIP 10POS HALF PITCH SMD |
| ASFLMB-25.000MHZ-LC-T | OSC MEMS 25.000 MHZ SMD |
| JS0204AP4-S | SWITCH DIP SLIDE 4POS GOLD SMD |
| A6KV-104RF | SWITCH ROTARY DIP 10POS PCB |
| 76RGB02ST | SW DIP RECESS RCKR SLD 2POS AU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB070AN06_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 7m?? |
| FDB070AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB070AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB070AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB070AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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