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参数资料
| 型号： | FDB3632 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB3632DKR |
October 2013
FDH3632 / FDP3632 / FDB3632
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 80 A, 9 m Ω
Features
? R DS(ON) = 7.5 m ? (Typ.), V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q g (tot) = 84 nC (Typ.), V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Synchronous Rectificatio n
? Battery Protection Circui t
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Micro Solar Inverte r
? R oH S Compliant
D
D
GD
G
D
S
TO-247
S
TO-220
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Continuous (T amb = 25 C, V GS = 10V, R θ JA = 43 C/W)
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 111 o C, V GS = 10V)
o o
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FD H 3632 / F DP3632 /
FD B 3632
100
± 20
80
12
Figure 4
337
310
2.07
-55 to 175
Unit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case, Max. TO-220, D 2 -PAK , TO-247
0.48
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-220 (Note 2)
62
o C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient D 2 -PAK , Max. 1in 2 copper pad area
43
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-247 (Note 2)
30
o C/W
? 200 4 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH3632 / FDP3632 / FDB3632 Rev. C 5
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638661000 | FINE ADJUST APPLICATOR |
| 550-0508F | LED CBI 5MM RED DIFF 5V RA |
| 0638659000 | FINE ADJUST APPLICATOR |
| 0638657000 | FINE ADJUST APPLICATOR |
| 550-0308F | LED CBI 5MM YLW DIFF RA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB3632 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 100V 80A TO-263AB 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263AB |
| FDB3632 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDB3632_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 80A, 9m?? |
| FDB3632_F085 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB3632_NL | 功能描述:MOSFET N-CH PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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