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参数资料
| 型号： | FDB6670AL |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2440pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
8
6
I D = 80A
V DS = 10V
4000
3000
f = 1MHz
V GS = 0 V
20V
15V
2000
C iss
4
C oss
1000
2
C rss
0
0
0
10
20 30
Q g , GATE CHARGE (nC)
40
50
0
5
10 15 20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
30
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
Figure 8. Capacitance Characteristics.
5000
SINGLE PULSE
R θ JC = 2.2°C/W
10μs
4000
T A = 25°C
100
R DS(ON) LIMIT
100μs
1mS
10mS
100mS
3000
10
V GS = 10V
DC
2000
SINGLE PULSE
1
R θ JA = 2.2 o C/W
T A = 25 o C
1000
0
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JC (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 2.2 °C/W
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P(pk
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
FDP6670AL/FDB6670AL Rev D(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB8132 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8160 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB6670AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6670AS | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PT SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6670AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDB6670S | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB6670S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
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