- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19204 > FDB7030BL (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDB7030BL |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1760pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB7030BLDKR |
Typical Characteristics
10
2500
8
I D = 30A
V DS = 10V
20V
2000
f = 1MHz
V GS = 0 V
C iss
15V
6
4
2
0
1500
1000
500
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
5000
SINGLE PULSE
100
R DS(ON) LIMIT
10μs
100μs
1mS
4000
3000
R θ JC = 2.5°C/W
T A = 25°C
10mS
100m
2000
T A = 25 C
10
1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JC = 2.5 o C/W
o
DC
1000
0
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R θ JC = 2.5 °C/W
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P(pk
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JC (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
FDP7030BL/FDB7030BL Rev D1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3-435668-4 | LOW PROFILE TAPED 4 POS DIP SW |
| 5435802-3 | SWITCH DIP 4POS RA UNSEALED GOLD |
| 5435802-4 | SWITCH DIP 5POS RA UNSEALED GOLD |
| ADF04ST04 | SWITCH DIP FLUSH 4POS SMD |
| ADF02S04 | SWITCH DIP SPST FLUSH 2POS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB7030BL_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB7030BLS | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB7030L | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB7030L_L86Z | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB7030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。